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Dopo aver preso un (leggero) vantaggio su TSMC lanciando la produzione di chip incisi a 3 nm nel corso di questa estate, Samsung Foundry ha annunciato una tabella di marcia per l’introduzione dei suoi futuri processi di incisione. L’azienda prevede quindi di passare a 2 nm nel 2025, prima di virare sui 1.4 nm entro il 2027 per riportare in casa alcuni clienti.

Come ricorda PhoneArena, TSMC da solo detiene il 52.9% di quota di mercato, contro il “solo” 17.3% di Samsung Foundry secondo gli ultimi dati TrendForce. Molto indietro rispetto a TSMC, Samsung Foundry rimane quindi il numero 2 nella classifica (relativamente ristretta) dei maggiori fondatori indipendenti al mondo. Un gap che l’azienda intende ridurre nei prossimi cinque anni.

La strategia di TSMC

Se la tabella di marcia di TSMC non è ancora nota, anche il colosso taiwanese dei semiconduttori prevede di consegnare i suoi primi chip a 3 nm quest’anno – o all’inizio del 2023. Per ora, l’azienda sta comunque concentrando i suoi sforzi sui 5 nm. Come Samsung, anche TSMC dovrebbe iniziare a produrre chip a 2 nm entro il 2025.

“ Questa è la prima volta che la SEC (Samsung Electronics) ha presentato la sua roadmap di fonderia a lungo termine e penso che sia più aggressiva di TSMC e delle aspettative del mercato”, ha affermato. Share ha commentato un analista di Daiwa Capital Markets, al microfono della CNBC.

Apprendiamo inoltre che Samsung Foundry prevede di triplicare la sua capacità di produzione per i suoi chip più avanzati entro il 2027. Ciò includerebbe la creazione di nuovi stabilimenti negli Stati Uniti (oltre ai siti che Samsung possiede già in Texas). Nel breve termine, tuttavia, i piani di Samsung potrebbero scontrarsi con il calo globale della domanda di semiconduttori. Secondo i dati della Semiconductor Industry Association, le vendite globali di chip sono diminuite del 3,4% ad agosto da luglio.

L’articolo Samsung svela la roadmap per chip sempre più potenti. sembra essere il primo su Cellulare Magazine.

Cellulare Magazine Read More

Fonte Esterna

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